Neu von ERIS Technology: Silicone Carbide Power Schottky Diode

(09.06.2017)

Neu im Vertrieb durch SINUS sind die Siliziumkarbid Schottky Dioden der ESIC Serie. Diese zeichnen sich durch Ströme von bis zu 10 A (20 A) Ampere aus. 

 

Höhere Effizienz, größere Leistungsdichte, kleinere Baugrößen, reduzierte Systemkosten - das ist der Nenner was die Vorteile von SiC betrifft. SiC zeichnet sich durch eine weitaus höhere Leistungsdichte im Vergleich zu herkömmlichen Silizium Technologien. (Si: 13 j/cm3 ; SiC: 66 j /cm3).

 

Erhältlich in axialer Bauform als auch in SMT.

 

VB: 650 V - 3300 V

IF: 0.2 ... 80 A

Trr: < 10 ns

Tj: +175 °C Celsius

Typische Anwendungen sind Stromversorgungen, LED Beleuchtung, e-Mobility, Hybride e-Mobility, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, ECU usw.

 

Kontakt: anfragen@sinus-electronic.de

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